MOSFET, N-Canal Vishay SIHH250N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- Código RS:
- 268-8302
- Referência do fabricante:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8302
- Referência do fabricante:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHH | |
| Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHH | ||
Encapsulado PowerPAK 8 x 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
MOSFET serie SIHH de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 13 A - SIHH250N60EF-T1GE3
Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para aplicaciones de conversión de potencia y control donde se requiere un montaje en superficie compacto. Funciona como transistor de canal N de modo de mejora y está diseñado para manejar tensiones y corrientes elevadas en entornos térmicos exigentes al tiempo que cumple las restricciones RoHS.
Características y ventajas:
• La clasificación de 650 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 13 A admite un accionamiento de carga considerable
• La Rds(on) de 0.25 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 89 W permite un rendimiento térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 23 nC permite transiciones de puerta de velocidad moderada
• La Vgs máxima de 30 V garantiza un margen de accionamiento de puerta robusto
• La corriente continua de 13 A admite un accionamiento de carga considerable
• La Rds(on) de 0.25 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 89 W permite un rendimiento térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 23 nC permite transiciones de puerta de velocidad moderada
• La Vgs máxima de 30 V garantiza un margen de accionamiento de puerta robusto
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Ideal para etapas de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con controladores de puerta aislados en convertidores de potencia
• Se puede utilizar para topologías de conmutación suave y resonante
• Apto para módulos de gestión de potencia industrial
• Ideal para etapas de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con controladores de puerta aislados en convertidores de potencia
• Se puede utilizar para topologías de conmutación suave y resonante
• Apto para módulos de gestión de potencia industrial
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar en funcionamiento?
Está especificado para funcionar en un amplio rango de temperaturas de -55 °C a 150 °C para su uso en condiciones térmicas hostiles.
¿Qué encapsulado y método de montaje se proporcionan para montajes compactos?
Se suministra en un encapsulado PowerPAK 8x8 diseñado para colocación de montaje en superficie para ahorrar espacio en la placa y mejorar la conducción térmica.
¿Cómo afecta la tensión directa del dispositivo a la conducción del cuerpo-diodo?
La tensión directa de 1,2 V indica la caída de tensión típica a través del diodo intrínseco durante la conducción inversa, lo que influye en los cálculos de pérdida en rectificación síncrona o trayectorias de rueda libre.
¿Qué configuración de contactos está disponible para la integración del circuito?
El componente expone cuatro pines, lo que facilita conexiones separadas para disposiciones de fuente, drenaje, puerta y pestaña o almohadilla térmica durante el diseño de PCB.
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