MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH250N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- Código RS:
- 268-8302
- Referência do fabricante:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8302
- Referência do fabricante:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHH | |
| Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHH | ||
Encapsulado PowerPAK 8 x 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
MOSFET de potencia de Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación. Tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de telecomunicaciones.
Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
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