MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 279-9906
- Referência do fabricante:
- SIHF074N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
249,85 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 950 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,997 € | 249,85 € |
| 100 + | 4,442 € | 222,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9906
- Referência do fabricante:
- SIHF074N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SIHF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.079Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SIHF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.079Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E, y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
Tecnología de la serie E de 4.ª generación
Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja
Calificación energética de avalancha
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHF080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP125N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP186N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHP080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHP105N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHA690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 4.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines