MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R020M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 83 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 349-063
- Referência do fabricante:
- IMW65R020M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-063
- Referência do fabricante:
- IMW65R020M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 83A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 273W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 83A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 273W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET CoolSiC 650 V G2 de Infineon se basa en la robusta tecnología de trinchera de carburo de silicio de 2.ª generación de Infineon, lo que ofrece un rendimiento incomparable, una fiabilidad superior y una excelente facilidad de uso. Este MOSFET está diseñado para permitir diseños rentables, altamente eficientes y simplificados, que responden a las crecientes demandas de los sistemas y mercados de energía modernos. Es una solución ideal para conseguir una alta eficiencia del sistema en una amplia gama de aplicaciones, lo que ofrece un rendimiento fiable y una funcionalidad superior.
Pérdidas por conmutación ultrabajas
Robusto contra encendido parásito incluso con una tensión de puerta de apagado de 0 V
Tensión de excitación flexible y compatible con el esquema de control bipolar
Funcionamiento robusto del diodo de cuerpo en caso de conmutación dura
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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