MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R026M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 64 A, PG-TO-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:
351-864
Referência do fabricante:
IMW65R026M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Potencia de salida

227W

Encapsulado

PG-TO-247

Serie

IMW65

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

21.5 mm

Certificaciones y estándares

JEDEC

Altura

5.3mm

Longitud

16.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
Este MOSFET CoolSiC 650 V, 26 mΩ G2, en encapsulado TO-247-3 de Infineon aprovecha las ventajas de la tecnología de primera generación y permite un diseño acelerado de sistemas con soluciones más rentables, eficientes, compactas y fiables. La segunda generación incorpora mejoras significativas en las figuras de mérito clave, tanto para el funcionamiento de conmutación dura como para las topologías de conmutación suave, adecuadas para todas las combinaciones habituales de etapas AC-DC, DC-DC y DC-AC.

Excelentes figuras de mérito (FOM)

La mejor RDS(on) de su clase

Gran robustez y calidad general

Rango de tensión de accionamiento flexible

Admite accionamiento unipolar (VGSoff=0)

La mejor inmunidad contra los efectos de activación

Mejora de la interconexión de paquetes con .XT

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