MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK105N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 268-8309
- Referência do fabricante:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 248 | 4,46 € | 8,92 € |
| 250 - 998 | 4,375 € | 8,75 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8309
- Referência do fabricante:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.105Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 142W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.105Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 142W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación. Tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de telecomunicaciones.
Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
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