MOSFET, Tipo P-Canal Microchip VP2110K1-G, VDSS 100 V, ID -120 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8951
- Referência do fabricante:
- VP2110K1-G
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1840 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,728 € | 7,28 € |
| 50 - 90 | 0,714 € | 7,14 € |
| 100 - 240 | 0,382 € | 3,82 € |
| 250 - 990 | 0,376 € | 3,76 € |
| 1000 + | 0,368 € | 3,68 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 264-8951
- Referência do fabricante:
- VP2110K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -120mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | VP2110 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -120mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie VP2110 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de averías secundarias
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo fuente-drenador integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 100 V, ID -120 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP0610T-G, VDSS 60 V, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 120 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NDS0610, VDSS 60 V, ID 120 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP2510N8-G, VDSS 100 V, Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 40 V, ID 0.6 A, MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET de zanja de canal P, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 3.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 0.23 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines