MOSFET, Tipo P-Canal Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A, P, MP-25ZP (TO-263) de 4 pines
- Código RS:
- 264-1238
- Referência do fabricante:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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- Código RS:
- 264-1238
- Referência do fabricante:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | MP-25ZP (TO-263) | |
| Serie | NP100P06PDG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.1mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 300nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Renesas Electronics | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado MP-25ZP (TO-263) | ||
Serie NP100P06PDG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.1mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 300nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Renesas Electronics proporciona una potencia de baja tensión con transistor de efecto de campo MOS de tipo canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Consta de una corriente de drenaje máxima de 100 A.
La tensión de fuente de drenaje máxima es de 60 V
El tipo de montaje es de montaje en superficie
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