MOSFET, N-Canal Infineon IRFU3910PBF, VDSS 100 V, ID 16 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 262-6776
- Número do artigo Distrelec:
- 304-41-680
- Referência do fabricante:
- IRFU3910PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 262-6776
- Número do artigo Distrelec:
- 304-41-680
- Referência do fabricante:
- IRFU3910PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 115mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 115mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Tiene una resistencia de conexión muy baja. Proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
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