MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 65 A, N, TO-252

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Código RS:
261-9329
Referência do fabricante:
RD3G03BBGTL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

65A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

RD3G03BBG

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.2nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El ROHM RD3G03BBG es un MOSFET de potencia con resistencia de conexión baja y encapsulado de alta potencia, adecuado para conmutación. La temperatura de almacenamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.

El número de terminales es de 3

Chapado sin plomo y conformidad con RoHS

Sin halógenos

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