MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
172-0384
Referência do fabricante:
RD3G500GNTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

RD3G500GN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302

Longitud

6.8mm

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

No

El RD3G500GN es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado de alta potencia (TO-252)

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos

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