MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 172-0384
- Referência do fabricante:
- RD3G500GNTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 172-0384
- Referência do fabricante:
- RD3G500GNTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | RD3G500GN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302 | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie RD3G500GN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302 | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 6.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El RD3G500GN es el MOSFET de baja resistencia de encendido para aplicación de conmutación.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado de alta potencia (TO-252)
Chapado de cable sin plomo
Libre de halógenos
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