MOSFET, N-Canal Infineon IRLB8748PBF, VDSS 30 V, ID 92 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 260-5873
- Número do artigo Distrelec:
- 304-41-682
- Referência do fabricante:
- IRLB8748PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5873
- Número do artigo Distrelec:
- 304-41-682
- Referência do fabricante:
- IRLB8748PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 92A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 370W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 92A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 370W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N simple StrongIRFET de Infineon. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. Amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc con alta corriente nominal.
Encapsulado con capacidad de transporte de alta corriente
Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
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