MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1, ID 7.6 A, PG-SOT223 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

4,78 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 900,478 €4,78 €
100 - 2400,455 €4,55 €
250 - 4900,446 €4,46 €
500 - 9900,416 €4,16 €
1000 +0,335 €3,35 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
260-5153
Referência do fabricante:
IPN50R800CEATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.6A

Encapsulado

PG-SOT223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.8Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.52mm

Longitud

6.3mm

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon CoolMOS CE es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera.

Robustez de conmutación muy alta

Fácil de usar o accionar

Links relacionados