MOSFET, N-Canal Infineon BSS225H6327FTSA1, VDSS 600 V, ID 90 mA, Mejora, SOT-89 de 3 pines

Este MOSFET es un transistor de canal N de modo de mejora diseñado para conmutación de alta tensión y baja corriente en encapsulados SOT-89 compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y cumple las normas de certificación de automoción al tiempo que cumple los requisitos ambientales RoHS.

• La tensión máxima de drenaje-fuente de 600 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La resistencia máxima de drenaje a fuente de 45 Ω limita las fugas en estado de desconexión
• La corriente de drenaje continua de 0,09 A admite circuitos de control de baja corriente
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C permite el uso en temperaturas extremas
• El encapsulado SOT-89 reduce el tamaño de la placa para diseños compactos

• Apto para circuitos de control de automoción de baja corriente
• Ideal para la conmutación de señales de alta tensión
• Se utiliza con sensores industriales que necesitan una amplia tolerancia de temperatura
• Se puede utilizar para módulos de gestión de potencia compactos
• Apto para diseños que requieren componentes de automoción

Utiliza un encapsulado SOT-89 que ofrece un tamaño pequeño y una ruta térmica adecuada para implementaciones de transistores de baja potencia y alta tensión.

Cumple la certificación AEC-Q101 y funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para la electrónica de vehículos.

El dispositivo es de canal N y está dispuesto en modo de mejora, lo que proporciona una conducción controlada cuando se acciona.

Cumple los requisitos RoHS, lo que indica la restricción de determinadas sustancias peligrosas en su estructura.