MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3.2 A, Mejora, SOT-89 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

213,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 1000 unidade(s) a partir do dia 18 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
1000 - 10000,213 €213,00 €
2000 - 40000,202 €202,00 €
5000 +0,189 €189,00 €

*preço indicativo

Código RS:
145-8766
Referência do fabricante:
BSS606NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-89

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.5mm

Longitud

4.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de la serie OptiMOS 3 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 3,2 A - BSS606NH6327XTSA1


Este MOSFET de canal n es un semiconductor de montaje en superficie diseñado para controlar y conmutar la alimentación dc en sistemas electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de media tensión con una capacidad de corriente continua modesta. El dispositivo se suministra en un pequeño encapsulado SOT-89 adaptado para etapas de potencia montadas en PCB.

Características y ventajas:


• La tensión de soporte de drenaje-fuente de 60 V permite una conmutación de tensión media segura
• La baja RDS(on) de 90 mΩ reduce las pérdidas por conducción en las vías de potencia
• La corriente de drenaje continua de 3,2 A admite la conducción de carga moderada
• La tensión directa de 1,1 V minimiza la caída de tensión en la conducción del diodo
• La carga de puerta típica de 3,7 nC permite un control de conmutación eficiente
• La tolerancia de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta flexibles

Aplicaciones


• Apto para circuitos auxiliares de automoción
• Ideal para etapas de conmutación de convertidores dc/dc
• Se utiliza en interfaces de controlador de puerta de motor
• Puede utilizarse para conmutar cargas en módulos de telemática
• Apto para la distribución de energía en sistemas integrados

¿Qué dimensiones de encapsulado y factor de forma utiliza?


El componente se suministra en un cuerpo compacto de montaje en superficie SOT-89 de 4,5 x 2,5 x 1,5 mm para diseños de PCB estrechos.

¿Cómo resiste entornos térmicos extremos?


Está diseñado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su funcionamiento en condiciones de alta temperatura y clima frío.

¿Qué configuración de contactos y estilo de montaje deben esperar los diseñadores?


La pieza tiene cuatro pines y está diseñada para montaje en superficie, lo que simplifica la colocación en procesos de montaje automatizados.

¿Qué modo de conducción de canal emplea y cómo afecta el comportamiento del circuito?


Utiliza un canal de modo de mejora de tipo N, que requiere un accionamiento de puerta positivo para establecer la conducción para la conmutación de lado bajo típica.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.