MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 13.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 260-1102
- Referência do fabricante:
- IPD95R450PFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2 075,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,83 € | 2 075,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 260-1102
- Referência do fabricante:
- IPD95R450PFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie CoolMOS PFD7 de 950 V de Infineon establece un nuevo punto de referencia en las tecnologías de superunión (SJ). Esta tecnología está diseñada para aplicaciones de iluminación y SMPS industriales combinando el mejor rendimiento de su clase con una facilidad de uso de vanguardia. En comparación con las familias CoolMOS P7, el PFD7 ofrece un diodo de cuerpo ultrarrápido integrado que permite su uso en topologías de resonancia con la carga de recuperación inversa (Qrr) más baja del mercado.
Mejor calidad y fiabilidad CoolMOS de su clase
Mejor RDS (encendido) de su clase en encapsulados THD y SMD
Mínimo de protección ESD Clase 2 (HBM)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R450PFD7ATMA1, VDSS 950 V, ID 13.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 13.3 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB95R450PFD7ATMA1, VDSS 950 V, ID 13.3 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 14 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R2K0P7ATMA1, VDSS 950 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R450P7ATMA1, VDSS 950 V, ID 14 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 13.9 A, N, TO-220 de 3 pines