MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 14 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2535
- Referência do fabricante:
- IPD95R450P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2 445,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,978 € | 2 445,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2535
- Referência do fabricante:
- IPD95R450P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La última serie Infineon 950V CoolMOS™ P7 Marca un nuevo banco en tecnologías de súper unión 950V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
El mejor FOM RDS(on) Eoss de su clase; QG, CISS y CossBest-in-class DPAK RDS(on) de 450 mΩ
El mejor VGS(th) de su clase de 3V y la variación de VGS(th) más pequeña de ±0,5 V.
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R450P7ATMA1, VDSS 950 V, ID 14 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R2K0P7ATMA1, VDSS 950 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 13.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 950 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R450PFD7ATMA1, VDSS 950 V, ID 13.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD6N95K5, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD2N95K5, VDSS 950 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines