MOSFET, N-Canal Infineon IPT015N10NF2SATMA1, VDSS 100 V, ID 315 A, Mejora, HSOF

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Código RS:
259-2647
Referência do fabricante:
IPT015N10NF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

315A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IPT

Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.50mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie IPT de Infineon, tensión de drenaje-fuente de 100 V, corriente de drenaje continua de 315 A - IPT015N10NF2SATMA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de alta potencia diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere una conmutación robusta y una amplia resistencia a la temperatura. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para sistemas que requieren un manejo de corriente continua considerable al tiempo que mantiene bajas pérdidas por conducción. El dispositivo se suministra en un encapsulado HSOF con disipador de calor adecuado para la integración a nivel de placa de alta corriente.

Características y ventajas:


• Rds(on) de 1.50 mΩ que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 315 A que admite cargas pesadas
• Vds de 100 V que permiten tareas de conmutación de mayor tensión
• Tensión directa de 1,2 V que mejora la eficiencia de conducción
• Rango de funcionamiento de -55 °C a +175 °C para entornos hostiles

Aplicaciones


• Apto para etapas de accionamiento de motor de alta corriente
• Ideal para convertidores dc-dc en racks de alimentación
• Se utiliza con conjuntos de distribución de potencia en placas
• Puede utilizarse para conmutación de alta potencia en sistemas industriales
• Apto para diseños compactos de montaje en superficie con disipador térmico

¿Qué tipo de encapsulado se utiliza para la disipación térmica?


Se suministra en un encapsulado HSOF diseñado para mejorar la transferencia de calor a disipadores externos.

¿Qué método de montaje se recomienda para el montaje de PCB?


El dispositivo está diseñado para montaje en superficie para permitir una disposición de placa de inductancia baja.

¿Qué tipo de conducción de canal emplea el dispositivo?


Utiliza una configuración de canal N de modo de mejora para una conmutación controlada.

¿Es adecuado el producto para la normalización de automoción?


No se especifica que cumpla los estándares de automoción, pero cumple los requisitos de la directiva RoHS.

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