MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC024NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 110 A, N, TDSON de 8 pines

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Código RS:
259-1469
Referência do fabricante:
BSC024NE2LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. Carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de estado encendido más baja en un tamaño pequeño. Minimiza las EMI en el sistema, lo que hace que las redes de desconexión externas queden obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.

Ahorre costes generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifásicos

Reduce las pérdidas de potencia y aumenta la eficiencia para todas las condiciones de carga

Ahorre espacio con los encapsulados más pequeños como CanPAK, S3O8 o solución de sistema en encapsulado

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