MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 100 A, TDSON
- Código RS:
- 259-1461
- Referência do fabricante:
- BSC010NE2LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
3 030,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,606 € | 3 030,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 259-1461
- Referência do fabricante:
- BSC010NE2LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de encendido más baja en encapsulados pequeños, convierten a optimos de 25 V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones. Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5 x 6). Minimiza las EMI en el sistema, lo que hace que las redes de desconexión externas queden obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.
Ahorre costes generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifásicos
Reduce las pérdidas de potencia y aumenta la eficiencia para todas las condiciones de carga
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC010NE2LSIATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, TDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 100 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 110 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 58 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC024NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 110 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC014NE2LSIATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC050NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 58 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC004NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 479 A, TDSON de 8 pines
