MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- Código RS:
- 258-3997
- Referência do fabricante:
- IRLL024ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3997
- Referência do fabricante:
- IRLL024ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzada
Resistencia de conexión muy baja
Unidad de puerta de nivel lógico
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
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