MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 1.9 A, SOT-223
- Código RS:
- 257-5538
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-532
- Referência do fabricante:
- IRFL014NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-5538
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-532
- Referência do fabricante:
- IRFL014NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET Fifth Generation | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.16Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead-Free | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie HEXFET Fifth Generation | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.16Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead-Free | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr un rendimiento extremadamente bajo.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
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