MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL530NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, TO-263
- Código RS:
- 258-3992
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-548
- Referência do fabricante:
- IRL530NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
10,09 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 25 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
- Mais 800 unidade(s) para enviar a partir do dia 21 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,018 € | 10,09 € |
| 50 - 120 | 1,814 € | 9,07 € |
| 125 - 245 | 1,696 € | 8,48 € |
| 250 - 495 | 1,576 € | 7,88 € |
| 500 + | 1,474 € | 7,37 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3992
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-548
- Referência do fabricante:
- IRL530NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la resistencia de conexión más baja posible por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicona optimizada para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 17 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 17 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFZ24NSTRL, VDSS 20 V, ID 17 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80R290C3AATMA2, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines