MOSFET Infineon, VDSS 200 V, ID 9.1 A, TO-220 de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

103,05 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 22 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
50 - 502,061 €103,05 €
100 - 2001,896 €94,80 €
250 +1,793 €89,65 €

*preço indicativo

Código RS:
258-3975
Referência do fabricante:
IRFI4020H-117PXKMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

MOSFET de canal N doble

Alta densidad de potencia

Diseño integrado

Ahorro de placa

Links relacionados