MOSFET Infineon IRFI4019H-117PXKMA1, VDSS 150 V, ID 8.7 A, TO-220 de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Indisponível
A RS já não fará a reposição deste artigo.
Opções de embalagem:
Código RS:
258-3974
Referência do fabricante:
IRFI4019H-117PXKMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El medio puente de MOSFET de audio digital Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Consta de dos interruptores MOSFET de potencia conectados en configuración de medio puente. El último proceso se utiliza para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo del cuerpo y la resistencia de puerta interna están optimizadas para mejorar los factores de rendimiento clave del amplificador de audio de clase D, como eficiencia, THD y EMI. Estos se combinan para hacer de este medio puente un dispositivo muy eficiente, robusto y fiable para aplicaciones de amplificador de audio de clase D.

RDS(on) bajo

MOSFET de canal N doble

Encapsulado de medio puente integrado

Qrr bajo

Respetuoso con el medio ambiente

Alta densidad de potencia

Diseño integrado

Ahorro de placa

EMI baja

Links relacionados