MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF200P222, VDSS 200 V, ID 182 A, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 258-3958
- Referência do fabricante:
- IRF200P222
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Indisponível
A RS já não fará a reposição deste artigo.
- Código RS:
- 258-3958
- Referência do fabricante:
- IRF200P222
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 182A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.6mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 135nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 556W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 182A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.6mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 135nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 556W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon StrongIRFET tiene una resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámica mejorada, se caracteriza completamente por SOA de avalancha y capacitancia.
Capacidad de diodo de cuerpo dv/dt y di/dt mejorada
Sin plomo, conforme a RoHS
Links relacionados
- MOSFET Infineon IRF200P222, VDSS 200 V, ID 182 A, TO-247AC
- MOSFET Infineon IRF250P224, VDSS 250 V, ID 128 A, TO-247AC
- MOSFET Infineon IRFP048NPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP4868PBF, VDSS 300 V, ID 70 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon IRFP4368PBF, VDSS 75 V, ID 350 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRFP3703PBF, VDSS 30 V, ID 210 A, TO-247AC, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple