MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

Código RS:: 124-9020
Referência do fabricante:: IRFP4568PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:: 124-9020
Referência do fabricante:: IRFP4568PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	171A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	TO-247AC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.9mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	151nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	684W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	20.7mm
	Longitud	15.87mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 171A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado TO-247AC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 151nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 684W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 20.7mm
	Longitud 15.87mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 171 A, disipación de potencia máxima de 517 W - IRFP4568PBF

Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer una alta eficiencia y un rendimiento constante en diversos circuitos electrónicos. Sus sólidas prestaciones están pensadas para aplicaciones de gestión de energía y conmutación. El encapsulado TO-247AC facilita una gestión térmica eficaz y simplifica la instalación en configuraciones con orificios pasantes.

Características y ventajas

• Las características mejoradas de recuperación de los diodos del cuerpo aumentan la fiabilidad

• La baja resistencia a la conexión minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento

• La capacidad máxima de disipación de potencia de 517 W se adapta a aplicaciones de alta demanda.

• El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, garantiza la funcionalidad en diversos entornos.

• Las excelentes tensiones umbral de puerta optimizan el rendimiento durante las acciones de conmutación.

• La configuración de un solo transistor agiliza el diseño de circuitos para facilitar su uso

Aplicaciones

• Rectificación síncrona de alta eficiencia

• Sistemas de alimentación ininterrumpida para una copia de seguridad fiable

• Circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad

• Adecuado para conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima que puede soportar este dispositivo?

El dispositivo admite una corriente de drenaje continua máxima de 171 A en condiciones óptimas.

¿Cómo gestiona el aparato el calor durante el funcionamiento?

Con una disipación de potencia máxima de 517 W, el dispositivo gestiona eficazmente el calor generado durante el funcionamiento.

¿Cuáles son los requisitos típicos de la tasa de entrada?

La carga de puerta típica es de aproximadamente 151 nC a una tensión de puerta-fuente de 10 V, lo que garantiza un rendimiento de conmutación eficiente.

¿Puede soportar variaciones extremas de temperatura?

Sí, funciona en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace apto para diversas condiciones ambientales.

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

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Transistores MOSFET, Infineon

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