MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRFP3703PBF, VDSS 30 V, ID 210 A, TO-247AC, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 543-1156
Referência do fabricante:: IRFP3703PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRFP3703PBF, VDSS 30 V, ID 210 A, TO-247AC, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:: 543-1156
Referência do fabricante:: IRFP3703PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	210A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	TO-247AC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Configuración de transistor	Simple
	Altura	20.3mm
	Longitud	15.9mm
	Anchura	5.3 mm
	Número de elementos por chip	1

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 210A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado TO-247AC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Configuración de transistor Simple
	Altura 20.3mm
	Longitud 15.9mm
	Anchura 5.3 mm
	Número de elementos por chip 1

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 210 A, disipación de potencia máxima de 3,8 W - IRFP3703PBF

Este MOSFET de alta corriente es esencial para aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la potencia. Su tecnología HEXFET garantiza que cumpla los criterios de rendimiento en diversos usos industriales y electrónicos. Como dispositivo de canal N, proporciona un manejo sustancial de la corriente y un control eficaz de la tensión en sistemas semiconductores robustos y eficientes.

Características y ventajas

• Soporta hasta 210 A de corriente de drenaje continua

• La baja resistencia a la conexión de 2,8mΩ minimiza las pérdidas de potencia

• Optimizado para operaciones de alta velocidad con encendido y apagado rápidos

• La configuración de un solo transistor simplifica el diseño del circuito

Aplicaciones

• Se utiliza en sistemas de gestión de energía para una conmutación eficiente

• Se aplica en la rectificación síncrona para mejorar la conversión de energía

• Integrado en equipos de automatización industrial para un funcionamiento fiable

• Se utiliza en fuentes de alimentación que requieren alta eficiencia y mínima generación de calor

• Adecuado para automoción necesidad de componentes duraderos

¿Para qué tipo de aplicaciones es más adecuado este dispositivo?

Este dispositivo destaca en la gestión de la energía, especialmente en la rectificación síncrona y la automatización industrial, gracias a su gran capacidad de manejo de corriente y tensión.

¿Cómo afecta al rendimiento la elevada corriente de drenaje continua?

La capacidad de gestionar 210A de forma continua permite una transferencia de energía eficiente al tiempo que reduce la generación de calor, mejorando así el rendimiento y la fiabilidad generales.

¿Cuáles son las implicaciones de la baja on-resistencia?

Una baja resistencia de encendido de 2,8mΩ disminuye en gran medida las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia y ayudando a la gestión térmica en condiciones de alta carga.

¿Qué rango de temperaturas de funcionamiento puede manejar este dispositivo?

Funciona eficazmente en un amplio intervalo de temperaturas, de -55 °C a +175 °C, lo que la hace adecuada para diversos entornos exigentes.

¿Cómo mejora la configuración del MOSFET el diseño de circuitos?

La configuración de un solo transistor simplifica el diseño de los circuitos, reduce el número de componentes necesarios y garantiza un funcionamiento fiable en aplicaciones de alta velocidad.