MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT019N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 247 A, HSOF

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

4,18 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 1745 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 94,18 €
10 - 243,97 €
25 - 493,89 €
50 - 993,64 €
100 +3,38 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-3903
Referência do fabricante:
IPT019N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

247A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

IPT

Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal n de 80 V OptiMOS 5 de Infineon en encapsulado TO-Leadless es ideal para altas frecuencias de conmutación. Este encapsulado está especialmente diseñado para aplicaciones de alta corriente como carretillas elevadoras, vehículos eléctricos ligeros, POL y telecomunicaciones. Con una reducción de espacio del 60% en comparación con el encapsulado D2PAK de 7 contactos, TO-Cordless es la solución perfecta donde se necesita la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y reducción de espacio.

Optimizado para rectificación síncrona

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Links relacionados