MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R041CFD7XKSA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO-220
- Código RS:
- 258-3897
- Referência do fabricante:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3897
- Referência do fabricante:
- IPP65R041CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 102nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 102nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión Infineon CoolMOS CFD7 de 650 V en un encapsulado TO-220 es ideal para topologías de resonancia en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, estaciones de carga solar y EV, en las que permite mejoras significativas de eficiencia en comparación con la competencia. Como sucesor de la familia de MOSFET CFD2 SJ, se suministra con una carga de puerta reducida, un comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa reducida que permite la máxima eficiencia y densidad de potencia, así como una tensión de ruptura adicional de 50 V.
Diodo de cuerpo ultrarrápido y Qrr muy bajo
Tensión de ruptura de 650 V
Pérdidas de conmutación significativamente reducidas en comparación con la competencia
Excelente robustez de conmutación difícil
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Permite aumentar la densidad de potencia
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