MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, TDSON de 3 pines
- Código RS:
- 258-3890
- Referência do fabricante:
- IPP034N08N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3890
- Referência do fabricante:
- IPP034N08N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPP | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.4mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.97V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPP | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.4mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.97V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 80 V, especialmente diseñado para rectificación síncrona para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, el dispositivo también se puede utilizar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores. En siete encapsulados diferentes, los MOSFET OptiMOS 5 de 80 V ofrecen el RDS(on) más bajo del sector. Además, en comparación con la generación anterior, OptiMOS 5 80 V tiene una reducción de RDS(on) de hasta un 43%.
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de capacitancia de salida de hasta un 44 %
Eficiencia del sistema más alta
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia
Desviación de tensión baja
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