MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 68 A, N, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0696
- Referência do fabricante:
- BSC120N12LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-0696
- Referência do fabricante:
- BSC120N12LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | BSC | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Tensión directa Vf | 0.87V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Anchura | 6.35mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie BSC | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Tensión directa Vf 0.87V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.49mm | ||
Anchura 6.35mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 3 en nivel lógico son muy adecuados para aplicaciones de carga, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Los MOSFET de nivel lógico permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación y, gracias a una tensión de umbral de puerta baja, se pueden accionar directamente desde los microcontroladores.
Carga de puerta baja
Carga de salida inferior
Compatibilidad de nivel lógico
Diseños de mayor densidad de potencia
Mayor frecuencia de conmutación
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