MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 14 A, TDSON

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

1 915,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
5000 +0,383 €1 915,00 €

*preço indicativo

Código RS:
258-3888
Referência do fabricante:
IPLK60R600PFD7ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPL

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión en un encapsulado ThinPAK 5x6 dispone de RDS(on) de 600 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Este encapsulado se caracteriza por un tamaño muy pequeño de 5 x 6 mm2 y un perfil muy bajo con una altura de 1 mm. Junto con su referencia de bajo nivel de parásitos, estas características conducen a factores de forma significativamente más pequeños y ayudan a aumentar la densidad de potencia. Los productos CoolMOS PFD7 se suministran con un diodo de cuerpo rápido que garantiza un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente.

RDS(on) x Eoss FOM muy bajo

Diodo de cuerpo rápido robusto integrado

Protección ESD de hasta 2 kV

Amplia gama de valores RDS(on)

Pérdidas de conmutación minimizadas

Mejora de la densidad de potencia en comparación con la última tecnología de cargador CoolMOS

Links relacionados