MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60N10S412ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
258-3849
Referência do fabricante:
IPD60N10S412ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal P. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

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