MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
223-8517
Referência do fabricante:
IPD50N06S409ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.95V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado DPAK tiene una tensión de drenaje a fuente de 60 V. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Certificación AEC Q101 para automoción

260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak

Temperatura de funcionamiento de •175 °C.

•Paquete verde

•RDS ultra baja

Prueba de avalancha de •100 %

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