MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 223-8517
- Referência do fabricante:
- IPD50N06S409ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
822,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 17.500 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,329 € | 822,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 223-8517
- Referência do fabricante:
- IPD50N06S409ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.95V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.95V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 50 A - IPD50N06S409ATMA2
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para controlar la potencia en sistemas electrónicos que requieren un manejo de alta corriente y tensión moderada. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos térmicos exigentes y está diseñado para su uso donde se requiere una conmutación y una gestión de potencia eficientes.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento con alta corriente
• La alta capacidad de drenaje continuo admite corrientes sostenidas de 50 A
• El valor nominal de drenaje-fuente de 60 V permite etapas de potencia de tensión media
• La disipación de potencia de 71 W permite manejar cargas térmicas elevadas
• La carga de puerta típica de 17 nC permite transiciones de conmutación relativamente rápidas
• La tolerancia de puerta de 20 V admite tensiones de accionamiento de puerta más altas
• La alta capacidad de drenaje continuo admite corrientes sostenidas de 50 A
• El valor nominal de drenaje-fuente de 60 V permite etapas de potencia de tensión media
• La disipación de potencia de 71 W permite manejar cargas térmicas elevadas
• La carga de puerta típica de 17 nC permite transiciones de conmutación relativamente rápidas
• La tolerancia de puerta de 20 V admite tensiones de accionamiento de puerta más altas
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de conmutación de convertidor reductor síncrono
• Ideal para etapas de potencia de motor-controlador en controladores industriales
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías que requieren un manejo de alta corriente
• Puede utilizarse para la conversión de potencia dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de distribución de potencia en conjuntos de montaje en superficie
• Ideal para etapas de potencia de motor-controlador en controladores industriales
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías que requieren un manejo de alta corriente
• Puede utilizarse para la conversión de potencia dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de distribución de potencia en conjuntos de montaje en superficie
¿Cuál es el rango de accionamiento de puerta permitido del dispositivo?
La puerta se puede accionar hasta 20 V entre la puerta y la fuente sin exceder su límite de tensión de puerta.
¿Cómo afecta el rango térmico al despliegue en entornos hostiles?
Sigue funcionando entre −55 °C y 175 °C, por lo que puede funcionar en aplicaciones de temperatura amplia donde se producen extremos térmicos.
¿Qué método de embalaje y montaje utiliza para el montaje?
Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para colocación de montaje en superficie en conjuntos.
¿Qué característica de conducción indica la eficiencia durante el estado activado?
Una resistencia máxima de drenaje a fuente de 9 mΩ minimiza la caída de tensión y las pérdidas de conducción a altas corrientes.
¿Cómo afecta la tensión directa a las etapas de potencia de baja tensión?
una tensión directa de 0,95 V limita la caída de tensión adicional en el dispositivo durante la conducción, lo que contribuye a la eficiencia.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N06S409ATMA2, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 139 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-252 de 3 pines