MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 300 V, ID 44 A, P, TO-263

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Código RS:
258-3806
Referência do fabricante:
IPB407N30NATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

300V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40.7mΩ

Modo de canal

P

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET OptiMOS de 300 V de Infineon, que incorporan tecnología de diodo rápido, están especialmente optimizados para la conmutación rígida de diodo del cuerpo. Los dispositivos no solo demuestran una impresionante resistencia en estado activo y una cifra de mérito, sino que también proporcionan una alta fiabilidad del sistema a través de la carga de recuperación inversa más baja disponible en el mercado. Con la serie OptiMOS de 300 V, Infineon aporta un nuevo nivel de rendimiento en aplicaciones de conmutación rígida como telecomunicaciones, fuentes de alimentación ininterrumpida, fuentes de alimentación industriales, inversores dc-ac y control de motores.

Robustez de conmutación dura

Comportamiento de conmutación rígida optimizado

Reducción de espacio en placa y costes del sistema

Alta fiabilidad del sistema

Mejor rendimiento de conmutación

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