MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

Código RS:: 145-9552
Referência do fabricante:: IPB011N04NGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:: 145-9552
Referência do fabricante:: IPB011N04NGATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.1mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	188nC
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.57mm
	Longitud	10.31mm
	Anchura	9.45 mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie OptiMOS 3
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 188nC
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.57mm
	Longitud 10.31mm
	Anchura 9.45 mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 250 W - IPB011N04NGATMA1

Este MOSFET está optimizado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores eléctrico y mecánico. Presenta un diseño robusto y un funcionamiento eficaz, lo que la hace idónea para sistemas de automatización. Con una corriente de drenaje continua máxima de 180 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, proporciona una mayor eficiencia y fiabilidad en el rendimiento del circuito.

Características y ventajas

• El alto manejo de la corriente mejora la eficiencia y el rendimiento del sistema

• La baja Rds(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• El diseño de montaje en superficie facilita la integración en placas de circuito impreso

• Capaz de disipar hasta 250 W, sirve para una gran variedad de aplicaciones

• El amplio rango de temperaturas de funcionamiento garantiza la funcionalidad en distintos entornos - La configuración de canal N ofrece mejores características de conmutación

Aplicaciones

• Utilizados en sistemas de control y accionamiento de motores

• Adecuado para la gestión de la energía en la automatización industrial

• Empleado en convertidores CC-CC e inversores

• Se utiliza para la conmutación de cargas en sistemas de distribución de energía

• Aplicable en sistemas de energías renovables, como inversores solares

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima de este dispositivo?

El dispositivo puede manejar hasta 180 A de corriente de drenaje continua, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.

¿Puede funcionar a altas temperaturas?

Sí, tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que permite un rendimiento constante en condiciones difíciles.

¿Cuáles son las especificaciones de la tensión umbral de puerta?

La tensión umbral de puerta máxima es de 4 V, mientras que la mínima es de 2 V, lo que proporciona flexibilidad en la compatibilidad operativa.

¿Qué tipo de montaje admite este componente?

Este producto está diseñado para montaje en superficie, lo que facilita la instalación directa en diversas placas de circuitos.

¿Cómo contribuye este MOSFET a la eficiencia energética?

Su bajo valor Rds(on) de 1,1 mΩ reduce significativamente la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia de los sistemas electrónicos en general.