MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P4L03ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1819
- Referência do fabricante:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
17,86 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 630 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,572 € | 17,86 € |
| 25 - 45 | 3,216 € | 16,08 € |
| 50 - 120 | 3,002 € | 15,01 € |
| 125 - 245 | 2,788 € | 13,94 € |
| 250 + | 2,57 € | 12,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 229-1819
- Referência do fabricante:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
IPB120P04P4L-03, -40 V, canal P, 3,1 mΩ máx., MOSFET de automoción, D2PAK, OptiMOSTM-P2
El MOSFET de nivel lógico de canal p de Infineon tiene la mayor capacidad de corriente y prueba de avalancha al 100 %. Tiene las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica.
Resumen de las características
•Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
•Calificación AEC
•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
•Temperatura de funcionamiento de 175 °C
•Encapsulado verde (conforme con RoHS)
•100% Avalanche probado
Ventajas
•No se necesita bomba de carga para accionamiento lateral alto.
•Circuito de accionamiento de interfaz sencilla
•RDSon más bajo del mundo a 40 V
•Capacidad de corriente más alta
•Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica
•Encapsulados robustos con fiabilidad y calidad superior
•Encapsulados estándar TO-252, TO-263, TO-220, TO-262
Aplicaciones potenciales
•MOSFET de lado alto para puentes de motor (medios puentes, puentes H, motores trifásicos)
•La configuración de puente se puede realizar con el canal P de 40 V como dispositivo de lado alto sin necesidad de bomba de carga
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P404ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P4L03ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263