MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB020N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 120 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3786
- Referência do fabricante:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3786
- Referência do fabricante:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.89V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.89V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El FET lineal OptiMOS de Infineon es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado activo y el funcionamiento de la capacidad de modo lineal en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de última generación de un MOSFET de trinchera junto con el amplio área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.
Alta máx. corriente de impulso
Corriente de impulso continua alta
Funcionamiento en modo lineal robusto
Pérdidas de conducción bajas
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