MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB3307PBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-263
- Código RS:
- 257-5799
- Referência do fabricante:
- IRFB3307PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
4,93 €
Adicione 36 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 1000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,465 € | 4,93 € |
| 20 - 48 | 2,225 € | 4,45 € |
| 50 - 98 | 2,075 € | 4,15 € |
| 100 - 198 | 1,945 € | 3,89 € |
| 200 + | 1,795 € | 3,59 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-5799
- Referência do fabricante:
- IRFB3307PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.3mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.3mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Corriente nominal alta
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB020NE7N3GATMA1, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 120 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB038N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 120 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 170 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-263
