MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA80R650CEXKSA2, VDSS 800 V, ID 4.5 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3778
- Referência do fabricante:
- IPA80R650CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
4,56 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 492 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,28 € | 4,56 € |
| 20 - 48 | 2,075 € | 4,15 € |
| 50 - 98 | 1,94 € | 3,88 € |
| 100 - 198 | 1,80 € | 3,60 € |
| 200 + | 1,66 € | 3,32 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3778
- Referência do fabricante:
- IPA80R650CEXKSA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | IPA | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 650mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie IPA | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 650mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon 800V CoolMOS CE es una familia de dispositivos de alto rendimiento que ofrece una tensión de ruptura de 800 voltios. El CE se dirige a aplicaciones de electrónica de consumo, así como a la iluminación. La nueva serie de selección de 800 V está dirigida específicamente a aplicaciones de LED. Con esta familia CoolMOS específica, Infineon combina una larga experiencia como proveedor líder de MOSFET de superunión con la mejor innovación de su clase.
Baja resistencia específica en estado activo
Almacenamiento de energía muy baja en la capacitancia de salida a 400 V
Alta fiabilidad
Fácil de usar
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP80R1K2P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, ThinPAK 5x6 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, TO-263 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPLK80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, ThinPAK 5x6 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPLK80R600P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, ThinPAK 5x6 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPLK80R1K2P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, ThinPAK 5x6 de 5 pines