MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPLK80R2K0P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4.5 A, ThinPAK 5x6 de 5 pines
- Código RS:
- 240-8552
- Número do artigo Distrelec:
- 304-24-007
- Referência do fabricante:
- IPLK80R2K0P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 240-8552
- Número do artigo Distrelec:
- 304-24-007
- Referência do fabricante:
- IPLK80R2K0P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | IPL | |
| Encapsulado | ThinPAK 5x6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.42mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie IPL | ||
Encapsulado ThinPAK 5x6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.42mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La serie MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 800 V de Infineon es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno como adaptador y cargador, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET de 2 °C a 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia mediante pérdidas de conmutación más bajas y mejores productos DPAK RDS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar el coste BOM y reducir el esfuerzo de montaje.
FOM RDS(on)*Eoss de la mejor clase; Qg, Ciss y Coss reducidos
DPAK RDS(on) de la mejor clase
V(GS)a de 3 V de la mejor clase y la menor variación V(GS)a de ±0,5 V
Protección contra ESD de diodo Zener integrado
Cartera completamente optimizada
EMI baja
El encapsulado ThinPAK 5x6 se caracteriza por un tamaño muy pequeño de 5 x 6 mm² y un perfil muy bajo con una altura de 1 mm y junto con su referencia de baja parásita, estas características conducen a factores de forma significativamente más pequeños y ayudan a aumentar la densidad de potencia. Esta combinación convierte a CoolMOS™ P7 en ThinPAK 5x6 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.
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