MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0919
- Referência do fabricante:
- IAUC120N06S5L032ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
2 025,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 03 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,405 € | 2 025,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-0919
- Referência do fabricante:
- IAUC120N06S5L032ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La tecnología OptiMOS 5 de Infineon para MOSFET de 60 V en el encapsulado de tamaño pequeño SSO8 estándar del sector con rendimiento líder que proporciona baja capacitancia de RDSon, QG y puerta y minimiza las pérdidas de conducción y conmutación.
Comportamiento EMC mejorado
Calificación AEC−Q101 y dispositivo compatible con PPAP
Conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC120N06S5L032ATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC120N06S5N017ATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 98 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC077N12NS3GATMA1, VDSS 120 V, ID 98 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC120N04S6L012ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
