MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSC084P03NS3GATMA1, VDSS -30 V, ID -78.60 A, P, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0692
- Referência do fabricante:
- BSC084P03NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
7,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3715 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,44 € | 7,20 € |
| 50 - 120 | 1,236 € | 6,18 € |
| 125 - 245 | 1,164 € | 5,82 € |
| 250 - 495 | 1,078 € | 5,39 € |
| 500 + | 1,012 € | 5,06 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-0692
- Referência do fabricante:
- BSC084P03NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -78.60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | BSC | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.40mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -78.60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie BSC | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.40mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSC de Infineon - Tensión máxima de drenaje a fuente de 30 V, resistencia máxima de drenaje a fuente de 8,40 mΩ - BSC084P03NS3GATMA1
Este MOSFET de canal P está diseñado para la gestión de potencia de alta corriente en conjuntos compactos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y se suministra en un encapsulado TDSON de perfil bajo para la integración a nivel de placa. El dispositivo cumple la directiva RoHS y está configurado para montaje en superficie con ocho pines, lo que proporciona un equilibrio de tolerancia térmica y rendimiento eléctrico para sistemas electrónicos variados.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V permite carriles de alimentación de 30 V
• La baja Rds(on) de 8,40 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 78,6 A admite cargas de alta corriente
• Amplio rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150 °C para entornos hostiles
• El encapsulado de montaje en superficie TDSON simplifica los diseños de PCB compactos
• La baja Rds(on) de 8,40 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 78,6 A admite cargas de alta corriente
• Amplio rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150 °C para entornos hostiles
• El encapsulado de montaje en superficie TDSON simplifica los diseños de PCB compactos
Aplicaciones
• Se utiliza para conmutar cargas de alta corriente en fuentes de alimentación
• Adecuado para la protección contra polaridad inversa en sistemas de batería
• Ideal para funciones de conmutación en la distribución de energía de DC
• Puede utilizarse para desconectar la carga en controladores integrados
• Se utiliza con soluciones de gestión térmica en PCB compactas
• Adecuado para la protección contra polaridad inversa en sistemas de batería
• Ideal para funciones de conmutación en la distribución de energía de DC
• Puede utilizarse para desconectar la carga en controladores integrados
• Se utiliza con soluciones de gestión térmica en PCB compactas
¿Qué configuración de contactos utiliza?
Se suministra en un tamaño TDSON de ocho pines para colocación de montaje en superficie.
¿Cómo afecta la temperatura a su rango de funcionamiento?
Mantiene un funcionamiento especificado de -55 °C a 150 °C para condiciones térmicas amplias.
¿Es adecuado para niveles de especificación de automoción?
No está clasificado conforme a los estándares de automoción y no debe especificarse cuando se requiere una certificación de automoción.
¿Qué conformidad ambiental incluye?
Cumple los requisitos RoHS de contenido de sustancias restringidas.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 78.6 A, P, TDSON de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 136 A, P, TDSON
- MOSFET, N-Canal Infineon IPI029N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 136 A, P, TDSON
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -40 A, P, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Doble N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 20 A, P, TDSON
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ120P03NS3GATMA1, VDSS -30 V, ID -40 A, P, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Doble N-Canal Infineon IPG20N04S4L08ATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, P, TDSON
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
