MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF5803TRPBF, VDSS -40 V, ID -3.4 A, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 257-9292
- Referência do fabricante:
- IRF5803TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9292
- Referência do fabricante:
- IRF5803TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia de un canal P de -40 V en un encapsulado TSOP 6 (Micro 6). La familia IR mosfet de mosfets de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
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