MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 110 V, ID 16 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4752
- Referência do fabricante:
- IRFR3910TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4752
- Referência do fabricante:
- IRFR3910TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 110V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 110V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET® de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Valor nominal de dv/dt dinámico
Conmutación rápida
Avalancha total nominal
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