Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 4 A, 1206-8 ChipFET

Código RS:: 256-7370
Referência do fabricante:: SI5504BDC-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 4 A, 1206-8 ChipFET

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Código RS:: 256-7370
Referência do fabricante:: SI5504BDC-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	1206-8 ChipFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.4Ω
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado 1206-8 ChipFET
	Tipo de montaje Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - SI5504BDC-T1-GE3

El mosfet de canal P Nand de 30 V (D-S) de 4 A, 3,7 A, 3,12 W y 3,1 W de montaje superficial de Vishay Semiconductor sus aplicaciones son dc, dc para aplicaciones de interruptor de carga portátil.

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