MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3483DDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6.4 A, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
256-7359
Referência do fabricante:
SI3483DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

El canal P de 30 V de 6,4 A (Ta), 8 A (Tc) de 2 W (Ta), 3 W (Tc) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie y el tipo de encapsulado es 6-TSOP.

MOSFET de potencia de canal P TrenchFET gen IV

Probado al 100 % Rg y UIS

Montaje superficial en placa 1 x 1 FR4

El máximo en condiciones de estado estable es de 110 °C/W

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