MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3483DDV-T1-GE3, VDSS -30 V, ID -6.4 A, TSOP-6 de 6 pines

Código RS:: 256-7359
Referência do fabricante:: SI3483DDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3483DDV-T1-GE3, VDSS -30 V, ID -6.4 A, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:: 256-7359
Referência do fabricante:: SI3483DDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	-6.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	-30V
	Serie	SI3483DDV
	Encapsulado	TSOP-6
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.0513Ω
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16V
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	3W
	Temperatura de funcionamiento máxima	+150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	1.1mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld -6.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V
	Serie SI3483DDV
	Encapsulado TSOP-6
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0513Ω
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V
	Tensión directa Vf -1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 3W
	Temperatura de funcionamiento máxima +150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 1.1mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

MOSFET serie SI3483DDV de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de -30 V, resistencia de fuente de drenaje máxima de 0,0513 Ω - SI3483DDV-T1-GE3

Este MOSFET de canal p es un dispositivo semiconductor de montaje en superficie diseñado para controlar funciones de conmutación de lado alto y potencia analógica en sistemas electrónicos compactos. Funciona con un valor nominal de drenaje a fuente de 30 V y está diseñado para su uso en un amplio rango de temperaturas ambiente, lo que lo convierte en adecuado para entornos industriales y de automatización exigentes donde se requiere una conmutación de potencia compacta.

Características y ventajas:

• Baja Rds(on) de 0,0513 Ω que permite reducir las pérdidas de conducción • Corriente de drenaje continua de 6,4 A que admite cargas de potencia moderadas • Carga de puerta típica de 4,5 nC que permite una conmutación de puerta más rápida • Disipación de potencia máxima de 3 W que permite una carga térmica sostenida • Resistencia de fuente de puerta de 16 V para márgenes de accionamiento de puerta tolerantes • Funciona entre -55 °C y +150 °C para uso a altas temperaturas

Aplicaciones

• Apto para conmutación de carga de lado alto en equipos de automatización • Ideal para circuitos de gestión de baterías en sistemas portátiles • Se utiliza para el control analógico de potencia en electrónica industrial • Se puede utilizar para sensibilidad térmica Necesidad de piezas SMD compactas • Se utiliza con controladores de motor que requieren topología de canal P

¿Qué tipo de encapsulado se utiliza para diseños de PCB compactos?

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TSOP-6 con seis contactos para placas estrechas.

¿Cómo se comporta el dispositivo a altas temperaturas de unión?

Está diseñado para funcionar hasta +150 °C, lo que permite conducción y conmutación continuas a temperaturas elevadas dentro de los límites especificados.

¿Cuál es la característica de carga de conmutación típica que debe tenerse en cuenta en el diseño de accionamiento?

La carga de puerta típica es de 4,5 nC, lo que informa los cálculos de energía de accionamiento de puerta y pérdida de conmutación.

¿Qué homologaciones ambientales o estándares de material se aplican?

El componente cumple las restricciones de materiales RoHS para el cumplimiento de sustancias restringidas.