MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -8 V, ID -6 A, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7346
- Referência do fabricante:
- SI2329DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7346
- Referência do fabricante:
- SI2329DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -8V | |
| Serie | Si2329DS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.12Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -8V | ||
Serie Si2329DS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.12Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El canal P de Vishay Semiconductor de 8 V, 6 A (Tc) 2,5 W (Tc) de montaje superficial SOT-23-3 (TO-236) sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.
MOSFET de potencia TrenchFET
100 % Rg probado
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
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