MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1062X-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 0.53 A, SC-89 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

4,45 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Em stock
  • Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 250,178 €4,45 €
50 - 750,174 €4,35 €
100 - 2250,13 €3,25 €
250 - 9750,129 €3,23 €
1000 +0,067 €1,68 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
256-7339
Referência do fabricante:
SI1062X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.53A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El canal N de 20 V, 530 mA (Ta) y 220 mW (Ta) de Vishay Semiconductor tiene montaje en superficie con tipo de encapsulado SC-89-3 y sus aplicaciones son conmutación de carga, alimentación para dispositivos portátiles, controladores, sistemas de batería, circuitos de convertidor de fuente de alimentación.

MOSFET de potencia TrenchFET

Protección ESD de fuente de puerta de 1.000 V

Links relacionados