MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIZF640DT-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 159 A, PowerPAIR 6 x 5FS de 8 pines, 2, config. Doble canal
- Código RS:
- 252-0298
- Referência do fabricante:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 252-0298
- Referência do fabricante:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 159A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerPAIR 6 x 5FS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00137Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble canal N simétrico | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 159A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerPAIR 6 x 5FS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00137Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble canal N simétrico | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
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